HQ0A11 Hallelement
Neuvorstellung von Asahi Kasei Microdevices (AKM)
Unser langjähriger Partner Asahi Kasei Microdevices (AKM) stellt sein neuestes ultrakompaktes InAs (Indiumarsenid)-Verbindungs-Hall-Element für die nächste Generation vor: das HQ0A11. Mit den Maßen 0,8 x 0,4 x 0,23 mm weist das HQ0A11 das kleinste und dünnste Gehäuse für ein InAs-basiertes Hall-Element auf.
Durch sein ultrakompaktes Format ist das Element ideal für die Verbesserung der Leistung in kleinen Applikationen wie Smartphone-Kameramodulen, kleinen Robotern und vielen anderen. Das HQ0A11 erreicht die höchste S/N-Leistung unter den AKM-Produkten, indem es die Eigenschaften von InAs mit einer über 3,5-mal höheren Positionserkennungsgenauigkeit als das HG0C11 GaAs (Galliumarsenid)-Hall-Element nutzt, das zuvor das Hauptprodukt von AKM für Kameramodule war. Das neue HQ0A11 kann zu einer deutlichen Verringerung des Lens-Shake-Effekts beitragen, der bei Smartphone-Kameras häufig auftritt, insbesondere bei Teleobjektiven.
AKM Hallelement HQ0A11
AKM strebt zudem an, seine patentrechtlich geschützte Verbindungshalbleiter- und Gehäusetechnologie zu nutzen, um eine weitere Verkleinerung und gleichzeitig Leistungsoptimierung von elektronischen Produkten zu ermöglichen.
HQ0A11
Hersteller: AKM
• AKMs kleinstes und flachstes Gehäuse (0,8 x 0,4 x 0,23 mm)
• S/N-Leistung mehr als 3,5 Mal höher als das HG0C11 Hall-Element
• ~16 % besseres S/N (Signal-Rausch-Verhältnis) als HQ0811
• Stabiler Betrieb, da keine magnetischen Materialien enthalten sind (unabhängig von Adsorption oder Änderungen der Magnetfeldstärke)
