Speicher ICs

Das DRAM-Produktportfolio von Winbond umfasst Specialty DRAM-Produkte, die auf niedrige und mittlere Dichte-Eigenschaften von Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeits-Anwendungen ausgerichtet sind. Die Produkte werden von weltweit führenden Anbietern auf den Verbraucher-, Kommunikations-, Computerperipherie-, Industrie- und Automobilmärkten eingesetzt. Winbond bietet Unterstützung für Industrie- und Automobilanwendungen mit AEC-Q100, TS16949, ISO9001 / 14001, OHSAS18001 Zertifikaten.

Winbond hat mobile DRAM-Geräte mit einem niedrigen IDD-Stromwert entwickelt, womit das Unternehmen seine mobilen DRAM-Speicheranwendungen über die Mobiltelefon- und Tablet-Märkte hinaus, auch für Bereiche der mobilen Unterhaltungselektronik und der mobilen Kommunikation anbieten kann. Die mobilen DRAM-Geräte von Winbond unterstützen Datenbreiten von 16 und 32 Bit.

Mobile DRAM IC Speicher-Produkte umfassen Folgendes:

• PSRAM IC: (32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB) 65/46 nm-Prozess
• Hyper RAM IC: (32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB) 38 nm-Prozess
• LP DDR1 IC: (128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB) 65/46 nm-Prozess
• LP DDR2 IC: (256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB) 46/38/25 nm-Prozess
• LP DDR3 IC: (1 GB, 4 GB) 38/25 nm-Prozess 2 GB MP Q1/2021
• LP DDR4 IC: (2 GB, 4 GB) 25 nm-Prozess 8 GB MP Q2/2021

Ein synchrones DRAM ist dafür ausgelegt, Daten mit derselben Taktrate zu verarbeiten wie die CPU, was es zur Kernkomponente in der Hochgeschwindigkeitsverarbeitung großer Datenmengen macht. Aktuell dehnt sich die Verwendung synchroner DRAM auf verschiedene Unterhaltungselektronikgeräte in den Bereichen Automobil-, Industrie-, Netzwerktechnik, DTV, DSC und STB aus.

SDRAM IC Speicher-Produkte umfassen Folgendes:

• (16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB) 65/46 nm-Prozess

Ein Pseudo-SRAM (Static Random Access Memory) besteht aus einem DRAM-Makrokern mit einer herkömmlichen SRAM-Schnittstelle, einer Auffrisch-Schaltung innerhalb des Chips, die den Anwender von der Notwendigkeit befreit, diese Aufgabe selbst zu erledigen. Im Vergleich zu einem herkömmlichen CMOS SRAM bietet ein PSRAM eine höhere Dichte, höhere Geschwindigkeit, kleinere Größe und einen DRAM-kompatiblen Prozess.

PSRAM IC Speicher-Produkte umfassen Folgendes:

• (32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB) 65/46nm-Prozess

Die W25X-Familie unterstützt Dual-SPI und verdoppelt effektiv Standard-SPI-Taktraten. Die W25Q-Familie ist eine "Obermenge" der 25X-Familie mit Dual-I/O- und Quad-I/O-SPI für eine noch höhere Leistung. Bei Verwendung von Quad-SPI erreichen Taktraten bis zu 104 MHz ein Äquivalent von 416 MHz (50 MB/s Transferrate). Das ist mehr als das Vierfache der Leistung des gewöhnlichen Serial Flash (50 MHz) und übertrifft sogar asynchrone Parallel-Flash-Speicher, unter Verwendung von weniger Pins und weniger Platz.

Serial NOR Flash IC-Produkte umfassen Folgendes:

• (512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB) 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V, 3 V 90/58 nm-Prozess

Winbond bietet eine Reihe von SLC NAND Flash-Speicher nach dem Industriestandard für das SLC NAND-Segment mit niedrigerer Code Speicherungsdichte im Bereich von 1 GB bis 8 GB an. Die SLC NAND Flash-Produkte sind der direkte Drop-in-Ersatz für die entsprechenden Industrieprodukte der verschiedenen Anbieter, und die Produkte sind vollständig kompatibel. Der Befehlssatz, die Schnittstelle und die Gehäuse entsprechen exakt denen anderer Anbieter.

SLC NAND Flash IC-Produkte umfassen Folgendes:

• (1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB) 1,8 V, 3 V 46/32 nm-Prozess

Der OctalNAND Flash von Winbond ermöglicht es Automobil- und industriellen Herstellern, Codespeicherung mit hoher Dichte anzubieten, ohne einen Aufpreis für NOR-Flash zahlen zu müssen, einer schnellen Speichertechnologie, die bei Dichten über 512 MB schlecht skalierbar ist.

Octal Flash IC-Produkte umfassen Folgendes:

• (256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB) 1,8 V MP Q3/20-Q421 32/24 nm-Prozess

Winbond bietet QspiNAND-Produkte mit der gleichen SPI-Schnittstelle mit einem kostengünstigen QspiNAND mit Dichten von 1 GB und 2 GB an. Während NOR Flash bei niedrigeren Dichten kostengünstiger ist, ist NAND Flash bei 512 MB rentabler.

QSPI NAND Flash IC-Produkte umfassen Folgendes:

• (512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB) 1,8 V, 3 V 32/24 nm-Prozess

Der Authentication SPI Flash von Winbond schafft die Verbindung zwischen Controller und Speicher und sorgt für eine verbesserte Sicherheit der zwischen den beiden Geräten übertragenen Daten. Diese Produkte der W74M-Familie sind mit einem standardmäßigen HMAC-SHA-256 Krypto-Beschleuniger und vier separaten monotonen Flash-Zählern ausgestattet, die mit individuellen HMAC-Geheimschlüsseln signiert sind.

Authentication SPI Flash IC-Produkte umfassen Folgendes:

• NOR Flash-basierter (64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB) 1,8 V, 3 V 58 nm-Prozess
• NAND Flash-basierter (1 GB, 2 GB) 1,8 V, 3 V 46/32 nm-Prozess

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ist ein nichtflüchtiger reprogrammierbarer Speicher, der selbst dann keinen Datenverlust erleidet, wenn seine Stromzufuhr unterbrochen wurde. Diese Art von Speicher wird häufig zum Speichern von Benutzerdaten, Produkt-IDs und anderen Informationen verwendet.

Holtek bietet verschiedene echte EEPROM-Kapazitäten:

• 3-Wire: 1,8 – 5,5 V (64X16 /128X8) 8DIP/SOP
• I2C: 1,8 – 5,5 V (256X8 / 8192X8) 8DIP/SO, SOT23-5